삼성전자·IBM 손잡고 기존 반도체보다 성능 2배 새 반도체 'VTFET' 개발

Question

삼성전자와 IBM이 기존 반도체와 비교해 성능은 2배, 전력 사용량을 85%까지 줄일 수 있는 새 반도체 기술을 발표했다. 삼성전자가 IBM의 서버용 5나노미터(nm, 1nm는 10억 분의 1m) 선폭 칩을 생산한다는 계획도 공개했다.

삼성전자와 IBM은 15일 수직 트랜지스터 구조를 활용한 새 반도체 디자인 ‘수직 전송 전계효과트랜지스터(VTFET)’를 공개했다.  VTFET는 칩 표면에 수직으로 트랜지스터를 쌓아 수직이나 상하로 전류를 흐르게 하는 기술이다.

기존 트랜지스터는 전류가 측면이나 좌우로만 흐를 수 있어 반도체 표면에 수평으로만 집적시켜야 했다. 상하로도 전류가 흐를 수 있게 되면서 한정된 면적에 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있게 된다. IBM은 “트랜지스터 접점을 개선해 전류 낭비를 줄이는 동시에 더 많은 전류가 흐를 수 있게 지원한다”며 “전반적으로 새 공정 기술이 기존 핀펫(finFET) 공정 칩 대비 2배 높은 성능을 보이거나 전력 사용량을 85% 줄일 수 있다”고 밝혔다. 핀펫은 트랜지스터를 3차원 구조로 만들어 전류를 측면과 좌우로 흘려 반도체를 고집적화할 수 있는 핵심 기술로 활용돼 왔다.

VTFET 기술은 IBM과 삼성전자가 뉴욕 올버니 나노테크 연구단지에서 공동 연구를 통해 개발했다. IBM은 “VTFET 기술은 새 차원에 초점을 맞추고 있어 무어의 법칙을 지속할 수 있는 방법을 제시한다”고 밝혔다. 무어의 법칙은 반도체 회로 내 집적되는 트랜지스터 수가 2년마다 두 배씩 증가한다는 법칙으로 최근 한계에 직면해 왔다.

이날 IBM은 삼성이 5나노미터(nm·1nm는 10억분의 1m) 노드 기반 IBM 칩을 생산한다고도 밝혔다. 생산된 칩은 IBM 자체 서버 플랫폼에 활용될 것으로 예상된다. 삼성은 2018년 IBM의 7nm 칩을 제조한다고 발표했고 이 칩은 올해 초 IBM 파워10 서버 제품군에 탑재되기도 했다. 올해 4월 공개된 IBM의 인공지능(AI) 프로세서 ‘텔럼’도 IBM 설계를 토대로 삼성이 제조하기도 했다.

Santa Orbi · Accepted Answer

삼성전자와 IBM이 기존 반도체와 비교해 성능은 2배, 전력 사용량을 85%까지 줄일 수 있는 새 반도체 기술을 발표했다.

IBM은 "트랜지스터 접점을 개선해 전류 낭비를 줄이는 동시에 더 많은 전류가 흐를 수 있게 지원한다"며 "전반적으로 새 공정 기술이 기존 핀펫 공정 칩 대비 2배 높은 성능을 보이거나 전력 사용량을 85% 줄일 수 있다"고 밝혔다.

핀펫은 트랜지스터를 3차원 구조로 만들어 전류를 측면과 좌우로 흘려 반도체를 고집적화할 수 있는 핵심 기술로 활용돼 왔다.

삼성전자·IBM 손잡고 기존 반도체보다 성능 2배 새 반도체 'VTFET' 개발

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